Substrat LiAlO2
Penerangan
LiAlO2 ialah substrat kristal filem yang sangat baik.
Hartanah
Struktur kristal | M4 |
Pemalar sel unit | a=5.17 A c=6.26 A |
Takat lebur(℃) | 1900 |
Ketumpatan(g/cm3) | 2.62 |
Kekerasan (Mho) | 7.5 |
Menggilap | Bujang atau berganda atau tanpa |
Orientasi Kristal | <100> <001> |
Definisi Substrat LiAlO2
Substrat LiAlO2 merujuk kepada substrat yang diperbuat daripada litium aluminium oksida (LiAlO2).LiAlO2 ialah sebatian hablur kepunyaan kumpulan ruang R3m dan mempunyai struktur hablur segi tiga.
Substrat LiAlO2 telah digunakan dalam pelbagai aplikasi, termasuk pertumbuhan filem nipis, lapisan epitaxial, dan heterostruktur untuk peranti elektronik, optoelektronik dan fotonik.Oleh kerana sifat fizikal dan kimianya yang sangat baik, ia amat sesuai untuk pembangunan peranti semikonduktor celah jalur lebar.
Salah satu aplikasi utama substrat LiAlO2 adalah dalam bidang peranti berasaskan Gallium Nitride (GaN) seperti Transistor Mobiliti Elektron Tinggi (HEMT) dan Diod Pemancar Cahaya (LED).Ketakpadanan kekisi antara LiAlO2 dan GaN adalah agak kecil, menjadikannya substrat yang sesuai untuk pertumbuhan epitaxial filem nipis GaN.Substrat LiAlO2 menyediakan templat berkualiti tinggi untuk pemendapan GaN, menghasilkan prestasi dan kebolehpercayaan peranti yang lebih baik.
Substrat LiAlO2 juga digunakan dalam bidang lain seperti pertumbuhan bahan ferroelektrik untuk peranti ingatan, pembangunan peranti piezoelektrik, dan fabrikasi bateri keadaan pepejal.Sifat unik mereka, seperti kekonduksian terma yang tinggi, kestabilan mekanikal yang baik, dan pemalar dielektrik yang rendah, memberi mereka kelebihan dalam aplikasi ini.
Secara ringkasnya, substrat LiAlO2 merujuk kepada substrat yang diperbuat daripada litium aluminium oksida.Substrat LiAlO2 digunakan dalam pelbagai aplikasi, terutamanya untuk pertumbuhan peranti berasaskan GaN, dan pembangunan peranti elektronik, optoelektronik dan fotonik yang lain.Mereka mempunyai sifat fizikal dan kimia yang diingini yang menjadikannya sesuai untuk pemendapan filem nipis dan heterostruktur dan meningkatkan prestasi peranti.