Substrat SiC
Penerangan
Silikon karbida (SiC) ialah sebatian binari Kumpulan IV-IV, ia adalah satu-satunya sebatian pepejal yang stabil dalam Kumpulan IV Jadual Berkala, Ia adalah semikonduktor yang penting.SiC mempunyai sifat terma, mekanikal, kimia dan elektrik yang sangat baik, yang menjadikannya salah satu bahan terbaik untuk membuat peranti elektronik suhu tinggi, frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi, SiC juga boleh digunakan sebagai bahan substrat untuk diod pemancar cahaya biru berasaskan GaN.Pada masa ini, 4H-SiC ialah produk arus perdana di pasaran, dan jenis kekonduksian dibahagikan kepada jenis separa penebat dan jenis N.
Hartanah
| item | 2 inci 4H jenis N | ||
| Diameter | 2 inci (50.8mm) | ||
| Ketebalan | 350+/-25um | ||
| Orientasi | luar paksi 4.0˚ ke arah <1120> ± 0.5˚ | ||
| Orientasi Rata Utama | <1-100> ± 5° | ||
| Flat Sekunder Orientasi | 90.0˚ CW dari Primary Flat ± 5.0˚, Si Face up | ||
| Panjang Rata Utama | 16 ± 2.0 | ||
| Panjang Rata Sekunder | 8 ± 2.0 | ||
| Gred | Gred pengeluaran (P) | Gred penyelidikan (R) | Gred dummy (D) |
| Kerintangan | 0.015~0.028 Ω·cm | < 0.1 Ω·cm | < 0.1 Ω·cm |
| Ketumpatan Mikropaip | ≤ 1 paip mikro/ cm² | ≤ 1 0mikroip/ cm² | ≤ 30 paip mikro/ cm² |
| Kekasaran permukaan | Si muka CMP Ra <0.5nm, C Muka Ra <1 nm | T/A, kawasan boleh guna > 75% | |
| TTV | < 8 um | < 10um | < 15 um |
| Tunduk | < ±8 um | < ±10um | < ±15um |
| meledingkan | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| retak | tiada | Panjang kumulatif ≤ 3 mm | Panjang kumulatif ≤10mm, |
| calar | ≤ 3 calar, terkumpul | ≤ 5 calar, terkumpul | ≤ 10 calar, terkumpul |
| Plat Hex | maksimum 6 pinggan, | maksimum 12 pinggan, | T/A, kawasan boleh guna > 75% |
| Kawasan Politaip | tiada | Luas terkumpul ≤ 5% | Luas terkumpul ≤ 10% |
| Pencemaran | tiada | ||
